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CMOS射频前端未来四年增长100倍模拟电子技术万芳

发布时间:2020-02-14 12:03:53 阅读: 来源:岩棉复合板厂家

CMOS射频前端未来四年增长100倍? - 模拟电子技术 - 电子工程网

将射频工艺转移到CMOS上来应该是长久以来不少人都曾想过的,在去年高通RF360集成CMOS PA之后,以硅为原材料的CMOS工艺得到射频领域的密切关注。

1. 成本——这一定是“消费电子化”的基础,若是前端比主芯片还贵,那是很难在消费电子领域生存下去的。RFaxis全球销售副总裁Raymond Biagan给出了一张晶圆成本对比图如下。这张图对比的只是大概的晶圆成本,芯片成本算下来基于CMOS的方案基本只占目前其他材料方案的大约在1/3 左右。

2. 产能——“消费电子化”一定要基于“标准”工艺,例如目前由于GaN生产线紧缺导致4G用的PA缺货,而若使用CMOS就不会出现这个问题。

3. 追随主流工艺才有成本下降空间。在2013年,晶圆代工厂的总营收为430亿美金,而GaAs的代工总额仅为10亿,RF的工艺从GaAs/SiGe向CMOS是不可逆的,这将解决历史性的供应链瓶颈难题。

4. 目前RFaxis采用的是0.18um的工艺,今年第四季度可提供40nm 802.11ac射频前端的样品。“我们不需要通过90nm等一步步的挨个工艺试下去,技术都是成熟的,具体采用哪种取决于应用。”Biagan表示。

5. The Death of GaAs? 这是去年IMS上的一个专题讨论小组的主题,业界已经清楚的看到,虽然手机付运量在去年进一步增长,但GaAs器件的销售总额已停滞不前。

6. 功放现在还可能会用三五族做——例如GaN,GaAs之类的(已经很少用SiGe),LNA除非是用在军方或工业,消费产品的射频前端现在一定会用CMOS做。

7. 目前RFaxis的产品主要集中在WiFi和Zigbee及ISM,但未来很有可能进入LTE/CDMA射频前端。

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